日本大真空晶体不愧为日本晶振行业的领头羊,拥有先进的生产技术,完善的服务体系,创造了大量优异的晶振产品.2017年就有发布信息称会在2018年推出几款超小体积的贴片晶振,这不到了2018年所推出的的除了DX1008JS晶振,还有1008mm超小体积的温补晶振和SPXO石英晶体振荡器.下面亿金电子要给大家介绍的就是此款DS1008JS晶振全球最小石英晶体振荡器.
DX1008JS晶振 DS1008JS晶振
如果采用传统结构,产品越小,在将石英晶体元件安装在封装中时,越难以确保诸如涂层精度和导电粘合剂的安装位置之类的余量.而KDS晶振的DS1008JS晶振全球最小石英晶体振荡器采用精细密封技术是键合技术,KDS晶振集团独特的生产技术,由晶体和WLP（晶圆级封装）的三个层的键合晶片,常规的结构等效的气密性它被实现了.
DS1008JS石英晶体振荡器由保持单元,而无需使用导电性粘接剂的结构允许所述振动部的整体结构,解决了由于体积改小导致的精度不稳定,以及导电粘合剂的安装空间问题,实现了在耐冲击性的改善.另一方面,DS1008JS晶振采用WLP使生产过程中的处理变得更加容易.此外,通过从清洗晶圆清洗到真空环境中的粘接,大大降低了质量风险.由于AT切割晶体器件的石英晶体器件变得频率高,厚度薄,因此存在关于工艺质量和生产率的问题.
一个符号
标准值
条件
分钟。
（典型值）。
最大。
单位
输出频率范围
FO
1
-
100
兆赫
电源电压
VCC
+1.6
-
+3.6
V
频率允许偏差
f_tol
-100
-
+100
×10-6
-40至+125°C
-20至+70°C
-50
-
+50
-30
-
+30
-30至+85°C
-20
-
+20
-20
-
+20
-20至+70°C
当前消费
我CC
-
-
1.8
毫安
fo=24MHz，VCC=+1.8V，无负载
待机电流（＃1引脚“L”）
I_STD
-
-
0.01
毫安
输出负载
L_CMOS
-
-
15
pF的
波形对称
SYM
45
50
55
％
在50％VCC下，fo<60MHz
上升时间，下降时间
tr，tf
-
-
五
NS
10至90％VCC电平
输出启用时间
tPZL
-
-
2
MS
输出禁用时间
tPLZ
-
-
200
NS
OE引脚1电平输入电压
VIH
VCC×0.8
-
-
V
OE引脚0电平输入电压
VIL
-
-
VCC×0.2
V
包装单位（1）
3000pcs./reel(φ180）
项目DS1008JS石英晶体振荡器
（包括室温偏差）
（标准工作温度范围）
DS1008JS石英晶体振荡尺寸仅有1.0x0.8x0.24mm,超级薄的厚度,压倒性的薄型为世界上最小的有源晶振,并非采用传统结构.可提供电源电压+1.8V~3.3V,具有高频率1M~100MHZ范围,工作温度-30℃~+85℃,具有三态功能,由于基波AT截止谐振器的非乘法输出,高达100MHz的低抖动.1008贴片晶振可广泛用于信息网络相关产品,如高速和大容量高频率所需的WiFi市场,有望扩展的数据中心,移动通信设备,近场无线模块,可穿戴设备,汽车多媒体设备等.
此外,KDS晶振集团提供一个新的石英晶体器件安装场景,如SiP模块,可以通过实现压倒性的薄形状进一步扩展,并内置到IC封装中提供价值.另外,因为它可以灵活地对应于封装的端子设计,所以它是能够形成包括与引线接合相对应的形状的各种外部端子的产品.
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