希华晶体遥遥领先于同行的32.768K音叉晶振

希华提供一系列 32.768 kHz 音叉晶体，採用最先进光刻制程技术，来实现卓越的稳定性和信赖性。音叉型晶体具备低功耗特性 0.1 µW 及微型设计，最小尺寸至1.6 x 1.0mm，适合应用在穿戴式装置、物联网装置、无线通讯、消费性电子产品、笔记型电脑、智慧电錶、安全系统和个人医疗设备。32.768 kHz 音叉型晶体系列包括 XTL72 (3.2 x 1.5 mm)、微型 XTL74 (2.0 x 1.2 mm) 和超微型 XTL75 (1.6 x 1.0 mm)，支援 ±20ppm 的标准频率容差，并提供多种负载电容选项，包括 12.5pF、9pF、7pF 等，一般工作温度范围为 -40°C 至 85°C， AEC-Q200 标准的汽车和工业应用可扩展至 -40°C 至 125°C。

整合上下游，开发到生产，自给自足.

希华在光蚀刻制程技术上的创新与突破，结合台湾唯一拥有上游长晶技术，整合上下游资源的能力，使音叉型晶体从开发到生产自己自足，不需外求，更加提升希华音叉晶体的竞争优势。主要生产尺寸，从 3.2 x 1.5 mm到小型化 2.0 x 1.2 mm & 1.6 x 1.0 mm 皆可量产。

流程分工图

音叉表晶生产流程，从南科的晶棒生产、 切割、 研磨成wafer原材，配合光蚀刻制程生产技术， 制作成音叉型晶体 wafer，最后于南科专线生产，产能自己自足不需外求，不仅确保高品质水晶晶棒之供应，也能充分掌握产能及交货期。

各种尺寸与设计能力

从大尺寸3.2 x 1.5晶振到小尺寸2.0 x 1.2晶振 & 1.6 x 1.0晶振皆可量产，具备晶片设计能力，因应各种不同领域应用与客户需求。

设立专线

于台南有专属音叉型晶体生产高度自动化工厂，设立专线以确保产品品质，达到最高要求。

音叉晶片能力

技术层次

高精度产品的微机电技术，最重要的是产品尺寸精细度要求。利用微机电技术都能掌握至2um以内，比起传统加工方式更为稳定，良率也较高。

创新性

音叉产品是一种非常讲求尺寸精度的产品，故在生产过程中如何控制产品尺寸非常重要的课题，目前市场上的产品还并不多，毕竟小型化技术是相当困难。希华采用最先进光蚀刻制程技术，使小型化产品能有更稳定的生产条件，不但缩短了生产时间，并大大提升了电性能力，在生产的良率上以及客户的信赖性上，都有非常大的突破。

可行性与商业性

市面上的音叉型石英晶振种类繁多，需求最大量的产品外观为3.2 x 1.5 mm，但对应市场上2.0 x 1.2 mm & 1.6 x 1.0 mm正崛起的情况之下，在产能提升状态下首当其冲的就是成本问题，希华有着领先的光蚀刻制程技术，能快速对应不同尺寸产品因应各种需求。加上良率的提升，以最低成本作出最大产能，不仅仅能在市场上占有一席之地，还具有非常大的竞争力。