科技发展对差分晶振的使用日益增多,各大晶振品牌纷纷推出差分晶体振荡器,比如我们所熟悉的KDS晶振,京瓷晶振,NDK晶振,爱普生晶振,IDT晶振等知名品牌.我们都知道差分晶振除了有普通晶振有的功能外,最大的不同就是输出的方式是差分信号.
那么差分晶振的输出是什么意思呢?差分晶振输出是指输出差分信号使用2种相位彼此完全相反的信号,从而消除了共模噪声,并产生一个更高性能的系统.这种方式可输送高频,并具有抗噪音强,低抖动等特征.常见的差分输出为LVDS、HCSL、LV-PECL.下面所介绍到的是爱普生LVDS输出的差分晶振.
爱普生7050差分晶振型号
爱普生差分晶振参数
| 项目 | 符号 | 规格说明 | 条件 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| LV-PECL | LVDS | ||||
|
SG3225EAN SG5032EAN SG7050EAN |
SG3225VAN SG5032VAN SG7050VAN |
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| 输出频率范围 | f0 | 73.5MHz to 700MHz | 请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息。 | ||
| 电源电压 | VCC | K : 2. V to 3.3V | VCC=±10 % | ||
| 储存温度范围 | T_stg | -40 °C to +125 °C | 存储为单一产品 | ||
| 工作温度范围 | T_use |
B:-20 °C to +70 °C G:-40 °C to +85 °C |
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| 频率稳定度 | f_tol |
C:±20 × 10-6 E:±30 × 10-6 J:±50 × 10-6 |
|||
| 功耗 | ICC | 65mA Max. | 30mA Max. |
OE =VCC L_ECL=50Ω or L_LVDS=100Ω f0= 700MHz |
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| 输出禁用电流 | I_dis | 20 mA Max. | OE = GND | ||
| 占空比 | SYM | 45 % to 55 % | 在输出交叉点 | ||
|
输出电压 (LV-PECL) |
VOH | VCC- 1.0 V to VCC- 0.8 V | - | DC 特征 | |
| VOL | VCC- 1.78 V to VCC- 1.62 V | - | |||
|
输出电压 (LVDS) |
VOD | - | 250 mV to 450 mV | VOD1, VOD2 | DC 特征 |
| dVOD | - | 50 mV Max. | dVOD= | VOD1- VOD2| | ||
| VOS | - | 1.15 V to 1.35 V | VOS1, VOS2 | ||
| dVOS | - | 150 mV Max. | dVOS= | VOS1- VOS2| | ||
|
输出负载条件 (ECL) / (LVDS) |
L_ECL | 50 Ω | - | 终止于 VCC- 2.0 V | |
| L_LVDS | - | 100 Ω | 连接到 OUT 与OUT之间 | ||
| 输入电压 | VIH | 70 % VCCMin. | OE 终端 | ||
| VIL | 30 % VCCMax. | ||||
| 上升/下降时间 | tr/tf | 350 ps Max. | - | 20 % ~ 80 % of ( VOH- VOL). | |
| - | 300 ps Max. | 20 % ~ 80 %微分输出 峰-峰值 | |||
| 振荡启动时间 | t_str | 3 ms Max. | 在电源电压最低时，所需时间为 0 秒 | ||
| 相位抖动 | tPJ | 0.6 ps Max. *1 | 抵消频率 : 12 kHz ~ 20 MHz | ||
| 频率老化 | f_aging | ±5 × 10-6/ year Max. |
+25 °C , 第一年 VCC= 2.5 V or 3.3V |
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差分晶振的不同输出意义:HCSL代表"高速电流转向逻辑".LVDS代表"低压差分信号".LV-PECL输出代表"低压正发射极耦合逻辑".爱普生晶振通过使用PLL技术和AT晶体单元来实现宽的频率范围,参数表中我们看到了爱普生差分晶振的频率可达73.5MHz~700MHz高频率点,储存温度在-40℃~125℃,使用性能稳定.
爱普生差分晶振编码
| 爱普生晶振编码 | 差分晶振型号 | 频率 | 封装尺寸 | 输出 | 温度范围 | 偏差 |
| X1G0042810001 | SG7050VAN晶振 | 125.000000MHz | 7.00x5.00x1.60mm | LVDS | -40to85°C | +/-50ppm |
| X1G0042810004 | SG7050VAN差分晶振 | 100.000000MHz | 7.00x5.00x1.60mm | LVDS | -40to85°C | +/-50ppm |
| X1G0042810005 | SG7050VAN晶振 | 200.000000MHz | 7.00x5.00x1.60mm | LVDS | -40to85°C | +/-50ppm |
| X1G0042810011 | SG7050VAN差分晶振 | 75.000000MHz | 7.00x5.00x1.60mm | LVDS | -40to85°C | +/-50ppm |
| X1G0042810014 | SG7050VAN晶振 | 156.250000MHz | 7.00x5.00x1.60mm | LVDS | -40to85°C | +/-50ppm |
| X1G0042810020 | SG7050VAN差分晶振 | 125.000000MHz | 7.00x5.00x1.60mm | LVDS | -40to85°C | +/-30ppm |
| X1G0042810024 | SG7050VAN晶振 | 200.000000MHz | 7.00x5.00x1.60mm | LVDS | -40to85°C | +/-30ppm |
| X1G0042810031 | SG7050VAN差分晶振 | 150.000000MHz | 7.00x5.00x1.60mm | LVDS | -40to85°C | +/-30ppm |
| X1G0042810033 | SG7050VAN晶振 | 156.250000MHz | 7.00x5.00x1.60mm | LVDS | -40to85°C | +/-30ppm |
| X1G0042810038 | SG7050VAN差分晶振 | 700.000000MHz | 7.00x5.00x1.60mm | LVDS | -40to85°C | +/-30ppm |
| X1G0042810039 | SG7050VAN晶振 | 125.000000MHz | 7.00x5.00x1.60mm | LVDS | -20to70°C | +/-50ppm |
| X1G0042810044 | SG7050VAN差分晶振 | 400.000000MHz | 7.00x5.00x1.60mm | LVDS | -20to70°C | +/-50ppm |
| X1G0042810049 | SG7050VAN晶振 | 75.000000MHz | 7.00x5.00x1.60mm | LVDS | -20to70°C | +/-50ppm |
| X1G0042810050 | SG7050VAN差分晶振 | 150.000000MHz | 7.00x5.00x1.60mm | LVDS | -20to70°C | +/-50ppm |
| X1G0042810052 | SG7050VAN晶振 | 156.250000MHz | 7.00x5.00x1.60mm | LVDS | -20to70°C | +/-50ppm |
| X1G0042810061 | SG7050VAN差分晶振 | 100.000000MHz | 7.00x5.00x1.60mm | LVDS | -20to70°C | +/-20ppm |
| X1G0042810062 | SG7050VAN晶振 | 200.000000MHz | 7.00x5.00x1.60mm | LVDS | -20to70°C | +/-20ppm |
| X1G0042810063 | SG7050VAN差分晶振 | 400.000000MHz | 7.00x5.00x1.60mm | LVDS | -20to70°C | +/-20ppm |
| X1G0042810068 | SG7050VAN晶振 | 75.000000MHz | 7.00x5.00x1.60mm | LVDS | -20to70°C | +/-20ppm |
| X1G0042810069 | SG7050VAN差分晶振 | 150.000000MHz | 7.00x5.00x1.60mm | LVDS | -20to70°C | +/-20ppm |
| X1G0042810071 | SG7050VAN晶振 | 156.250000MHz | 7.00x5.00x1.60mm | LVDS | -20to70°C | +/-20ppm |
差分晶振常见的是3225晶振,5032晶振,7050晶振三种封装尺寸,文中所列举的是爱普生5x7体积的部分差分晶振编码.均为较高的频率点,为输出LVDS方式,电源电压范围2.5V/3.3V,振荡启动时间在电源电压最低时,所需时间为0秒.爱普生差分晶振具有性能强,精密稳定,低电压的特征,普遍用于对于高速网络要求的应用.
SMI晶振,86M0368 -16,86SMX进口晶振,6G相关设备晶振
日本SMI晶体,53SMX石英晶振,53M320-16,6G基站晶振