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Vishay晶振冲击水平和破碎的晶体导致的故障,需要5.0V时钟

2022-05-26 14:25:03 

晶体的厚度决定了频率。对于0.001"(0.0254mm)厚的AT切割晶体,大约是63MHz基模谐振器。如果厚度加倍,则谐振频率将为0.5*63MHz或31.5MHz。

XO57CTECNA12M
Vishay
XO57 系列 7 x 5 x 1.9 mm 12 MHz 3.3 V ±100 ppm 表面贴装 振荡器
XO37CRECNA50M
Vishay
XOSM-573 Series 50 MHz 7 x 5 mm 5 V ±100 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XO37DREHNA18M432
Vishay
XOSM-573 Series 18.432 MHz 7 x 5 mm 5 V ±50 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XO37DTEHNA30M
Vishay
XOSM-573 Series 30 MHz 7 x 5 mm 5 V ±50 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XO37DTEHNA33M33
Vishay
XOSM-573 Series 33.33 MHz 7 x 5 mm 5 V ±50 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XO57CTECNA12M
Vishay
XO57 系列 7 x 5 x 1.9 mm 12 MHz 3.3 V ±100 ppm 表面贴装 振荡器
XO57CTEHNA2M4576
Vishay
XOSM-57 Series 2.4576 MHZ 7 x 5 mm 5 V ±100 ppm Surface Mount Clock Oscillator

8MHz晶体的厚度为0.0078"(0.200mm)。4MHz晶体的厚度为0.0157"(0.400mm)。

遇到两个限制特定尺寸封装的最低频率的条件:

1)简单的条件,较新的薄型陶瓷LCC封装将不接受较厚的晶体。根据封装的不同,频率下限范围从8MHz到12MHz甚至更低。

XO57DRECNA14M7456
Vishay
XOSM-57 Series 14.756 MHz 7 x 5 mm 5 V ±50 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XO57DTECNA19M6608
Vishay
XOSM-57 Series 19.6608 MHz 7 x 5 mm 5 V ±50 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XO63DTEHNA30M
Vishay
XO63 30 MHz 50 PPM 表面贴装 振荡器
XOSM-573-B-E-40M
Vishay
XOSM-573 40.000 MHz 7.0 x 5.0 x 1.6 mm 3.3 V 表面贴装 振荡器
XOSM-573-B-E-40M
Vishay
XOSM-573 40.000 MHz 7.0 x 5.0 x 1.6 mm 3.3 V 表面贴装 振荡器
XOSM-573AARE25M
Vishay
XOSM 25.000 MHz 7 x 5 mm 3.3 V 振荡器
XOSM-57AARE6.0000M
Vishay
XOSM-57 Series 6 MHz 7 x 5 mm 5 V ±25 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XOVC1CDNA1M
Vishay
XOVC-23 系列 1 MHz 5 V 100 ppm 全尺寸 压控晶体振荡器

2)请记住,石英晶体是一种振动机械装置。对于最佳设计,那些具有较低ESR(CI)和无扰动(导致频率跳跃的不希望的振动模式)的设计,振动区域旨在位于晶体的中心区域。

当晶体频率较低且晶体较厚时,振动区域与边缘的机械耦合程度更高。在这种情况下,扰动(不需要的共振)变得难以控制,几乎不可能控制。解决方法是对水晶进行斜切或轮廓处理(使水晶看起来更像放大镜凹形)。边缘的这种变薄将振动区域限制在晶体中心并允许控制扰动。

7XZ-32.768KDA-T TXC 晶振 7XZ XO 32.768kHz ±25ppm
7XZ-32.768KDA-T TXC 晶振 7XZ XO 32.768kHz ±25ppm
7XZ-32.768KDA-T TXC 晶振 7XZ XO 32.768kHz ±25ppm
7XZ-32.768KDE-T TXC 晶振 7XZ XO 32.768kHz ±50ppm
7XZ-32.768KDE-T TXC 晶振 7XZ XO 32.768kHz ±50ppm
7XZ-32.768KDE-T TXC 晶振 7XZ XO 32.768kHz ±50ppm
7W-8.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 8MHz ±50ppm
7W-8.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 8MHz ±50ppm
7W-8.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 8MHz ±50ppm
7W-50.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 50MHz ±50ppm
7W-50.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 50MHz ±50ppm
7W-50.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 50MHz ±50ppm
7W-50.000MBA-T TXC 晶振 7W XO 50MHz ±25ppm
7W-50.000MBA-T TXC 晶振 7W XO 50MHz ±25ppm
7W-50.000MBA-T TXC 晶振 7W XO 50MHz ±25ppm
AU-26.000MBE-T TXC 晶振 AU XO 26MHz ±50ppm
AU-26.000MBE-T TXC 晶振 AU XO 26MHz ±50ppm
AU-26.000MBE-T TXC 晶振 AU XO 26MHz ±50ppm
7C-40.000MBA-T TXC 晶振 7C XO 40MHz ±25ppm
7C-40.000MBA-T TXC 晶振 7C XO 40MHz ±25ppm

不幸的是,限制振动区域会显着增加ESR。例如在12MHz:

SM13T5x7mm晶体ESR最大值为50欧姆

SM11T3.2x5mm晶体ESR最大值为80欧姆

对于这个例子,低于12MHz的SM11T是不实用的,因为ESR变得非常大。

5VCMOS时钟振荡器的可用性正在下降。这是使用现成的3.3V时钟振荡器的解决方案。

7C-40.000MBA-T TXC 晶振 7C XO 40MHz ±25ppm
7Z-38.400MBG-T TXC 晶振 7Z TCXO 38.4MHz ±500ppb
7Z-38.400MBG-T TXC 晶振 7Z TCXO 38.4MHz ±500ppb
7Z-38.400MBG-T TXC 晶振 7Z TCXO 38.4MHz ±500ppb
6U-16.384MBE-T TXC 晶振 6U VCXO 16.384MHz ±50ppm
6U-16.384MBE-T TXC 晶振 6U VCXO 16.384MHz ±50ppm
6U-16.384MBE-T TXC 晶振 6U VCXO 16.384MHz ±50ppm
BF-125.000MBE-T TXC 晶振 BF XO 125MHz ±50ppm
BF-125.000MBE-T TXC 晶振 BF XO 125MHz ±50ppm
BF-125.000MBE-T TXC 晶振 BF XO 125MHz ±50ppm
BF-100.000MBE-T TXC 晶振 BF XO 100MHz ±50ppm
BF-100.000MBE-T TXC 晶振 BF XO 100MHz ±50ppm
BF-100.000MBE-T TXC 晶振 BF XO 100MHz ±50ppm
BX-100.000MBE-T TXC 晶振 BX XO 100MHz ±50ppm
BX-100.000MBE-T TXC 晶振 BX XO 100MHz ±50ppm
BX-100.000MBE-T TXC 晶振 BX XO 100MHz ±50ppm
CX-100.000MBE-T TXC 晶振 CX XO 100MHz ±50ppm
CX-100.000MBE-T TXC 晶振 CX XO 100MHz ±50ppm
CX-100.000MBE-T TXC 晶振 CX XO 100MHz ±50ppm
7XZ-32.768KBA-T TXC 晶振 7XZ XO 32.768kHz ±25ppm

Pletronics晶振SM33xxT、SM44xxT、SM55xxT、SM77xxH和SM77xxD系列3.3V振荡器可与该电路配合使用,以满足对5.0V时钟石英晶体振荡器的需求。产生的信号特性将等于或优于旧的5V时钟振荡器。

7XZ-32.768KBA-T TXC 晶振 7XZ XO 32.768kHz ±25ppm
7XZ-32.768KBA-T TXC 晶振 7XZ XO 32.768kHz ±25ppm
7W-25.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 25MHz ±50ppm
7W-25.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 25MHz ±50ppm
7W-25.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 25MHz ±50ppm
7W-48.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 48MHz ±50ppm
7W-48.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 48MHz ±50ppm
7W-48.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 48MHz ±50ppm
7X-19.200MBB-T TXC 晶振 7X XO 19.2MHz ±50ppm
7X-19.200MBB-T TXC 晶振 7X XO 19.2MHz ±50ppm
7X-19.200MBB-T TXC 晶振 7X XO 19.2MHz ±50ppm
7X-30.000MBB-T TXC 晶振 7X XO 30MHz ±50ppm
7X-30.000MBB-T TXC 晶振 7X XO 30MHz ±50ppm
7X-30.000MBB-T TXC 晶振 7X XO 30MHz ±50ppm
AW-11.2896MBE-T TXC 晶振 AW XO 11.2896MHz ±50ppm
AW-11.2896MBE-T TXC 晶振 AW XO 11.2896MHz ±50ppm
AW-11.2896MBE-T TXC 晶振 AW XO 11.2896MHz ±50ppm
AU-50.000MBE-T TXC 晶振 AU XO 50MHz ±50ppm
AU-50.000MBE-T TXC 晶振 AU XO 50MHz ±50ppm
AU-50.000MBE-T TXC 晶振 AU XO 50MHz ±50ppm
7X-38.400MBA-T TXC 晶振 7X XO 38.4MHz ±25ppm
7X-38.400MBA-T TXC 晶振 7X XO 38.4MHz ±25ppm
7X-38.400MBA-T TXC 晶振 7X XO 38.4MHz ±25ppm
8W-12.000MBA-T TXC 晶振 8W XO 12MHz ±25ppm
8W-12.000MBA-T TXC 晶振 8W XO 12MHz ±25ppm

Pletronics Inc.致力于按时提供最高质量的设备以满足客户的要求。在过去的一年中,市场状况导致陶瓷封装供应商的交货时间增加。为了继续响应我们客户的需求,Pletronics Inc.希望在Pletronics产品系列中增加一种陶瓷封装类型。

8W-12.000MBA-T TXC 晶振 8W XO 12MHz ±25ppm
BB-125.000MBE-T TXC 晶振 BB XO 125MHz ±50ppm
BB-125.000MBE-T TXC 晶振 BB XO 125MHz ±50ppm
BB-125.000MBE-T TXC 晶振 BB XO 125MHz ±50ppm
7W-4.096MBB-T TXC 晶振 7W XO 4.096MHz ±50ppm
7W-4.096MBB-T TXC 晶振 7W XO 4.096MHz ±50ppm
7W-4.096MBB-T TXC 晶振 7W XO 4.096MHz ±50ppm
7W-40.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 40MHz ±50ppm
7W-40.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 40MHz ±50ppm
7W-40.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 40MHz ±50ppm
7C-26.000MBB-T TXC 晶振 7C XO 26MHz ±50ppm
7C-26.000MBB-T TXC 晶振 7C XO 26MHz ±50ppm
7C-26.000MBB-T TXC 晶振 7C XO 26MHz ±50ppm
7C-40.000MCB-T TXC 晶振 7C XO 40MHz ±50ppm
7C-40.000MCB-T TXC 晶振 7C XO 40MHz ±50ppm
7C-40.000MCB-T TXC 晶振 7C XO 40MHz ±50ppm
7W-66.6666MBB-T TXC 晶振 7W XO 66.6666MHz ±50ppm
7W-66.6666MBB-T TXC 晶振 7W XO 66.6666MHz ±50ppm
7W-66.6666MBB-T TXC 晶振 7W XO 66.6666MHz ±50ppm
7W-24.576MBA-T TXC 晶振 7W XO 24.576MHz ±25ppm
7W-24.576MBA-T TXC 晶振 7W XO 24.576MHz ±25ppm
7W-24.576MBA-T TXC 晶振 7W XO 24.576MHz ±25ppm
7X-19.200MBA-T TXC 晶振 7X XO 19.2MHz ±25ppm
7X-19.200MBA-T TXC 晶振 7X XO 19.2MHz ±25ppm
7X-19.200MBA-T TXC 晶振 7X XO 19.2MHz ±25ppm

当前的陶瓷封装和提议的添加都由同一家公司制造。制造地点、组装材料、镀层厚度和成分保持不变。更改主要涉及封装中走线的位置和布线。

BB-161.1328MBE-T TXC 晶振 BB XO 161.1328MHz ±50ppm
BB-161.1328MBE-T TXC 晶振 BB XO 161.1328MHz ±50ppm
BB-161.1328MBE-T TXC 晶振 BB XO 161.1328MHz ±50ppm
7X-20.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 20MHz ±50ppm
7X-20.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 20MHz ±50ppm
7X-20.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 20MHz ±50ppm
7X-20.000MBB-T TXC 晶振 7X XO 20MHz ±50ppm
7X-20.000MBB-T TXC 晶振 7X XO 20MHz ±50ppm
7X-20.000MBB-T TXC 晶振 7X XO 20MHz ±50ppm
AU-33.000MBE-T TXC 晶振 AU XO 33MHz ±50ppm
AU-33.000MBE-T TXC 晶振 AU XO 33MHz ±50ppm
AU-33.000MBE-T TXC 晶振 AU XO 33MHz ±50ppm
7WA2572007 TXC 晶振 7W XO 125MHz ±50ppm
7WA2572007 TXC 晶振 7W XO 125MHz ±50ppm
7WA2572007 TXC 晶振 7W XO 125MHz ±50ppm
6U-32.768MBE-T TXC 晶振 6U VCXO 32.768MHz ±50ppm
6U-32.768MBE-T TXC 晶振 6U VCXO 32.768MHz ±50ppm
6U-32.768MBE-T TXC 晶振 6U VCXO 32.768MHz ±50ppm
BF-62.500MBE-T TXC 晶振 BF XO 62.5MHz ±50ppm
BF-62.500MBE-T TXC 晶振 BF XO 62.5MHz ±50ppm

加载

此参数适用于负载或并联谐振振荡器电路中使用的晶体。Cload是在频率校准期间使用的电容值,以pf为单位。例如18PF

BF-62.500MBE-T TXC 晶振 BF XO 62.5MHz ±50ppm
BB-150.000MBE-T TXC 晶振 BB XO 150MHz ±50ppm
BB-150.000MBE-T TXC 晶振 BB XO 150MHz ±50ppm
BB-150.000MBE-T TXC 晶振 BB XO 150MHz ±50ppm
BR-61.4400MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 61.44MHz ±50ppm
BR-61.4400MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 61.44MHz ±50ppm
BR-61.4400MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 61.44MHz ±50ppm
7N-12.800MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 12.8MHz ±280ppb
7N-12.800MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 12.8MHz ±280ppb
7N-12.800MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 12.8MHz ±280ppb
7N-26.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 26MHz ±280ppb
7N-26.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 26MHz ±280ppb
7N-26.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 26MHz ±280ppb
TC-3.6864MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 3.6864MHz ±25ppm
TC-3.6864MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 3.6864MHz ±25ppm
TC-3.6864MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 3.6864MHz ±25ppm
TC-70.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 70MHz ±25ppm
TC-70.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 70MHz ±25ppm
TC-70.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 70MHz ±25ppm
TD-19.200MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 19.2MHz ±25ppm
TD-19.200MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 19.2MHz ±25ppm
TD-19.200MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 19.2MHz ±25ppm
TD-3.6864MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 3.6864MHz ±25ppm
TD-3.6864MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 3.6864MHz ±25ppm
TD-3.6864MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 3.6864MHz ±25ppm

ESR(等效串联电阻):

该电阻代表晶体在其谐振频率下的等效阻抗,以欧姆为单位。例如最大50欧姆

泛音:

晶体在其基频和高于基频的奇次谐波处具有尖锐的谐振峰。设计用于这些谐波之一的晶体称为泛音晶体。在更高的振荡器频率下,泛音设计通过使用更厚且更容易制造的晶体元件来降低成本。

TD-64.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 64MHz ±25ppm
TD-64.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 64MHz ±25ppm
TD-64.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 64MHz ±25ppm
TD-7.3728MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 7.3728MHz ±25ppm
TD-7.3728MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 7.3728MHz ±25ppm
TD-7.3728MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 7.3728MHz ±25ppm
7W-32.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 32MHz ±50ppm
7W-32.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 32MHz ±50ppm
7W-32.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 32MHz ±50ppm
7X-19.200MBE-T TXC 晶振 7X XO 19.2MHz ±50ppm
7X-19.200MBE-T TXC 晶振 7X XO 19.2MHz ±50ppm
7X-19.200MBE-T TXC 晶振 7X XO 19.2MHz ±50ppm
8W-26.000MBE-T TXC 晶振 8W XO 26MHz ±50ppm
8W-26.000MBE-T TXC 晶振 8W XO 26MHz ±50ppm
8W-26.000MBE-T TXC 晶振 8W XO 26MHz ±50ppm
7X-30.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 30MHz ±50ppm
7X-30.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 30MHz ±50ppm
7X-30.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 30MHz ±50ppm
7X-25.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 25MHz ±50ppm
7X-25.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 25MHz ±50ppm
7X-25.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 25MHz ±50ppm
7X-38.400MBE-T TXC 晶振 7X XO 38.4MHz ±50ppm
7X-38.400MBE-T TXC 晶振 7X XO 38.4MHz ±50ppm
7X-38.400MBE-T TXC 晶振 7X XO 38.4MHz ±50ppm
7X-48.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 48MHz ±50ppm

今天使用的大多数晶体是基本的或第三泛音。例如基金

校准公差:

这是25°C时与标称频率的最大偏差。校准容差以百万分率(ppm)为单位指定。例如±30ppm

7X-48.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 48MHz ±50ppm
7X-48.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 48MHz ±50ppm
8W-20.000MBE-T TXC 晶振 8W XO 20MHz ±50ppm
8W-20.000MBE-T TXC 晶振 8W XO 20MHz ±50ppm
8W-20.000MBE-T TXC 晶振 8W XO 20MHz ±50ppm
8W-13.000MBE-T TXC 晶振 8W XO 13MHz ±50ppm
8W-13.000MBE-T TXC 晶振 8W XO 13MHz ±50ppm
8W-13.000MBE-T TXC 晶振 8W XO 13MHz ±50ppm
7X-50.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 50MHz ±50ppm
7X-50.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 50MHz ±50ppm
7X-50.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 50MHz ±50ppm
8W-24.000MBE-T TXC 晶振 8W XO 24MHz ±50ppm
8W-24.000MBE-T TXC 晶振 8W XO 24MHz ±50ppm
8W-24.000MBE-T TXC 晶振 8W XO 24MHz ±50ppm
7X-26.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 26MHz ±50ppm
7X-26.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 26MHz ±50ppm
7X-26.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 26MHz ±50ppm
TD-4.096MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 4.096MHz ±25ppm
TD-4.096MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 4.096MHz ±25ppm
TD-4.096MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 4.096MHz ±25ppm
TC-33.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 33MHz ±25ppm
TC-33.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 33MHz ±25ppm
TC-33.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 33MHz ±25ppm
TD-40.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 40MHz ±25ppm
TD-40.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 40MHz ±25ppm

稳定:稳定性是在以25°C为参考的指定工作温度范围内晶体频率的最大偏差。与校准容差一样,稳定性以ppm为单位指定。校准容差和稳定性的综合影响在工作温度范围内是相加的。例如±50ppm

TD-40.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 40MHz ±25ppm
TD-49.152MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 49.152MHz ±25ppm
TD-49.152MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 49.152MHz ±25ppm
TD-49.152MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 49.152MHz ±25ppm
TC-4.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 4MHz ±25ppm
TC-4.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 4MHz ±25ppm
TC-4.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 4MHz ±25ppm
TC-16.0972MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 16.0972MHz ±25ppm
TC-16.0972MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 16.0972MHz ±25ppm
TC-16.0972MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 16.0972MHz ±25ppm
TD-24.576MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 24.576MHz ±25ppm
TD-24.576MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 24.576MHz ±25ppm
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TC-24.576MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 24.576MHz ±25ppm
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TD-12.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 12MHz ±25ppm
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