晶体的厚度决定了频率。对于0.001"(0.0254mm)厚的AT切割晶体,大约是63MHz基模谐振器。如果厚度加倍,则谐振频率将为0.5*63MHz或31.5MHz。
XO57CTECNA12M
Vishay
XO57 系列 7 x 5 x 1.9 mm 12 MHz 3.3 V ±100 ppm 表面贴装 振荡器
XO37CRECNA50M
Vishay
XOSM-573 Series 50 MHz 7 x 5 mm 5 V ±100 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XO37DREHNA18M432
Vishay
XOSM-573 Series 18.432 MHz 7 x 5 mm 5 V ±50 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XO37DTEHNA30M
Vishay
XOSM-573 Series 30 MHz 7 x 5 mm 5 V ±50 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XO37DTEHNA33M33
Vishay
XOSM-573 Series 33.33 MHz 7 x 5 mm 5 V ±50 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XO57CTECNA12M
Vishay
XO57 系列 7 x 5 x 1.9 mm 12 MHz 3.3 V ±100 ppm 表面贴装 振荡器
XO57CTEHNA2M4576
Vishay
XOSM-57 Series 2.4576 MHZ 7 x 5 mm 5 V ±100 ppm Surface Mount Clock Oscillator
8MHz晶体的厚度为0.0078"(0.200mm)。4MHz晶体的厚度为0.0157"(0.400mm)。
遇到两个限制特定尺寸封装的最低频率的条件:
1)简单的条件,较新的薄型陶瓷LCC封装将不接受较厚的晶体。根据封装的不同,频率下限范围从8MHz到12MHz甚至更低。
XO57DRECNA14M7456
Vishay
XOSM-57 Series 14.756 MHz 7 x 5 mm 5 V ±50 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XO57DTECNA19M6608
Vishay
XOSM-57 Series 19.6608 MHz 7 x 5 mm 5 V ±50 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XO63DTEHNA30M
Vishay
XO63 30 MHz 50 PPM 表面贴装 振荡器
XOSM-573-B-E-40M
Vishay
XOSM-573 40.000 MHz 7.0 x 5.0 x 1.6 mm 3.3 V 表面贴装 振荡器
XOSM-573-B-E-40M
Vishay
XOSM-573 40.000 MHz 7.0 x 5.0 x 1.6 mm 3.3 V 表面贴装 振荡器
XOSM-573AARE25M
Vishay
XOSM 25.000 MHz 7 x 5 mm 3.3 V 振荡器
XOSM-57AARE6.0000M
Vishay
XOSM-57 Series 6 MHz 7 x 5 mm 5 V ±25 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XOVC1CDNA1M
Vishay
XOVC-23 系列 1 MHz 5 V 100 ppm 全尺寸 压控晶体振荡器
2)请记住,石英晶体是一种振动机械装置。对于最佳设计,那些具有较低ESR(CI)和无扰动(导致频率跳跃的不希望的振动模式)的设计,振动区域旨在位于晶体的中心区域。
当晶体频率较低且晶体较厚时,振动区域与边缘的机械耦合程度更高。在这种情况下,扰动(不需要的共振)变得难以控制,几乎不可能控制。解决方法是对水晶进行斜切或轮廓处理(使水晶看起来更像放大镜凹形)。边缘的这种变薄将振动区域限制在晶体中心并允许控制扰动。
7XZ-32.768KDA-T
TXC 晶振
7XZ
XO
32.768kHz
±25ppm
7XZ-32.768KDA-T
TXC 晶振
7XZ
XO
32.768kHz
±25ppm
7XZ-32.768KDA-T
TXC 晶振
7XZ
XO
32.768kHz
±25ppm
7XZ-32.768KDE-T
TXC 晶振
7XZ
XO
32.768kHz
±50ppm
7XZ-32.768KDE-T
TXC 晶振
7XZ
XO
32.768kHz
±50ppm
7XZ-32.768KDE-T
TXC 晶振
7XZ
XO
32.768kHz
±50ppm
7W-8.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
8MHz
±50ppm
7W-8.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
8MHz
±50ppm
7W-8.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
8MHz
±50ppm
7W-50.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
50MHz
±50ppm
7W-50.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
50MHz
±50ppm
7W-50.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
50MHz
±50ppm
7W-50.000MBA-T
TXC 晶振
7W
XO
50MHz
±25ppm
7W-50.000MBA-T
TXC 晶振
7W
XO
50MHz
±25ppm
7W-50.000MBA-T
TXC 晶振
7W
XO
50MHz
±25ppm
AU-26.000MBE-T
TXC 晶振
AU
XO
26MHz
±50ppm
AU-26.000MBE-T
TXC 晶振
AU
XO
26MHz
±50ppm
AU-26.000MBE-T
TXC 晶振
AU
XO
26MHz
±50ppm
7C-40.000MBA-T
TXC 晶振
7C
XO
40MHz
±25ppm
7C-40.000MBA-T
TXC 晶振
7C
XO
40MHz
±25ppm
不幸的是,限制振动区域会显着增加ESR。例如在12MHz:
SM13T5x7mm晶体ESR最大值为50欧姆
SM11T3.2x5mm晶体ESR最大值为80欧姆
对于这个例子,低于12MHz的SM11T是不实用的,因为ESR变得非常大。
5VCMOS时钟振荡器的可用性正在下降。这是使用现成的3.3V时钟振荡器的解决方案。
7C-40.000MBA-T
TXC 晶振
7C
XO
40MHz
±25ppm
7Z-38.400MBG-T
TXC 晶振
7Z
TCXO
38.4MHz
±500ppb
7Z-38.400MBG-T
TXC 晶振
7Z
TCXO
38.4MHz
±500ppb
7Z-38.400MBG-T
TXC 晶振
7Z
TCXO
38.4MHz
±500ppb
6U-16.384MBE-T
TXC 晶振
6U
VCXO
16.384MHz
±50ppm
6U-16.384MBE-T
TXC 晶振
6U
VCXO
16.384MHz
±50ppm
6U-16.384MBE-T
TXC 晶振
6U
VCXO
16.384MHz
±50ppm
BF-125.000MBE-T
TXC 晶振
BF
XO
125MHz
±50ppm
BF-125.000MBE-T
TXC 晶振
BF
XO
125MHz
±50ppm
BF-125.000MBE-T
TXC 晶振
BF
XO
125MHz
±50ppm
BF-100.000MBE-T
TXC 晶振
BF
XO
100MHz
±50ppm
BF-100.000MBE-T
TXC 晶振
BF
XO
100MHz
±50ppm
BF-100.000MBE-T
TXC 晶振
BF
XO
100MHz
±50ppm
BX-100.000MBE-T
TXC 晶振
BX
XO
100MHz
±50ppm
BX-100.000MBE-T
TXC 晶振
BX
XO
100MHz
±50ppm
BX-100.000MBE-T
TXC 晶振
BX
XO
100MHz
±50ppm
CX-100.000MBE-T
TXC 晶振
CX
XO
100MHz
±50ppm
CX-100.000MBE-T
TXC 晶振
CX
XO
100MHz
±50ppm
CX-100.000MBE-T
TXC 晶振
CX
XO
100MHz
±50ppm
7XZ-32.768KBA-T
TXC 晶振
7XZ
XO
32.768kHz
±25ppm
Pletronics晶振SM33xxT、SM44xxT、SM55xxT、SM77xxH和SM77xxD系列3.3V振荡器可与该电路配合使用,以满足对5.0V时钟石英晶体振荡器的需求。产生的信号特性将等于或优于旧的5V时钟振荡器。
7XZ-32.768KBA-T
TXC 晶振
7XZ
XO
32.768kHz
±25ppm
7XZ-32.768KBA-T
TXC 晶振
7XZ
XO
32.768kHz
±25ppm
7W-25.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
25MHz
±50ppm
7W-25.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
25MHz
±50ppm
7W-25.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
25MHz
±50ppm
7W-48.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
48MHz
±50ppm
7W-48.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
48MHz
±50ppm
7W-48.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
48MHz
±50ppm
7X-19.200MBB-T
TXC 晶振
7X
XO
19.2MHz
±50ppm
7X-19.200MBB-T
TXC 晶振
7X
XO
19.2MHz
±50ppm
7X-19.200MBB-T
TXC 晶振
7X
XO
19.2MHz
±50ppm
7X-30.000MBB-T
TXC 晶振
7X
XO
30MHz
±50ppm
7X-30.000MBB-T
TXC 晶振
7X
XO
30MHz
±50ppm
7X-30.000MBB-T
TXC 晶振
7X
XO
30MHz
±50ppm
AW-11.2896MBE-T
TXC 晶振
AW
XO
11.2896MHz
±50ppm
AW-11.2896MBE-T
TXC 晶振
AW
XO
11.2896MHz
±50ppm
AW-11.2896MBE-T
TXC 晶振
AW
XO
11.2896MHz
±50ppm
AU-50.000MBE-T
TXC 晶振
AU
XO
50MHz
±50ppm
AU-50.000MBE-T
TXC 晶振
AU
XO
50MHz
±50ppm
AU-50.000MBE-T
TXC 晶振
AU
XO
50MHz
±50ppm
7X-38.400MBA-T
TXC 晶振
7X
XO
38.4MHz
±25ppm
7X-38.400MBA-T
TXC 晶振
7X
XO
38.4MHz
±25ppm
7X-38.400MBA-T
TXC 晶振
7X
XO
38.4MHz
±25ppm
8W-12.000MBA-T
TXC 晶振
8W
XO
12MHz
±25ppm
8W-12.000MBA-T
TXC 晶振
8W
XO
12MHz
±25ppm
Pletronics Inc.致力于按时提供最高质量的设备以满足客户的要求。在过去的一年中,市场状况导致陶瓷封装供应商的交货时间增加。为了继续响应我们客户的需求,Pletronics Inc.希望在Pletronics产品系列中增加一种陶瓷封装类型。
8W-12.000MBA-T
TXC 晶振
8W
XO
12MHz
±25ppm
BB-125.000MBE-T
TXC 晶振
BB
XO
125MHz
±50ppm
BB-125.000MBE-T
TXC 晶振
BB
XO
125MHz
±50ppm
BB-125.000MBE-T
TXC 晶振
BB
XO
125MHz
±50ppm
7W-4.096MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
4.096MHz
±50ppm
7W-4.096MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
4.096MHz
±50ppm
7W-4.096MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
4.096MHz
±50ppm
7W-40.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
40MHz
±50ppm
7W-40.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
40MHz
±50ppm
7W-40.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
40MHz
±50ppm
7C-26.000MBB-T
TXC 晶振
7C
XO
26MHz
±50ppm
7C-26.000MBB-T
TXC 晶振
7C
XO
26MHz
±50ppm
7C-26.000MBB-T
TXC 晶振
7C
XO
26MHz
±50ppm
7C-40.000MCB-T
TXC 晶振
7C
XO
40MHz
±50ppm
7C-40.000MCB-T
TXC 晶振
7C
XO
40MHz
±50ppm
7C-40.000MCB-T
TXC 晶振
7C
XO
40MHz
±50ppm
7W-66.6666MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
66.6666MHz
±50ppm
7W-66.6666MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
66.6666MHz
±50ppm
7W-66.6666MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
66.6666MHz
±50ppm
7W-24.576MBA-T
TXC 晶振
7W
XO
24.576MHz
±25ppm
7W-24.576MBA-T
TXC 晶振
7W
XO
24.576MHz
±25ppm
7W-24.576MBA-T
TXC 晶振
7W
XO
24.576MHz
±25ppm
7X-19.200MBA-T
TXC 晶振
7X
XO
19.2MHz
±25ppm
7X-19.200MBA-T
TXC 晶振
7X
XO
19.2MHz
±25ppm
7X-19.200MBA-T
TXC 晶振
7X
XO
19.2MHz
±25ppm
当前的陶瓷封装和提议的添加都由同一家公司制造。制造地点、组装材料、镀层厚度和成分保持不变。更改主要涉及封装中走线的位置和布线。
BB-161.1328MBE-T
TXC 晶振
BB
XO
161.1328MHz
±50ppm
BB-161.1328MBE-T
TXC 晶振
BB
XO
161.1328MHz
±50ppm
BB-161.1328MBE-T
TXC 晶振
BB
XO
161.1328MHz
±50ppm
7X-20.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
20MHz
±50ppm
7X-20.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
20MHz
±50ppm
7X-20.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
20MHz
±50ppm
7X-20.000MBB-T
TXC 晶振
7X
XO
20MHz
±50ppm
7X-20.000MBB-T
TXC 晶振
7X
XO
20MHz
±50ppm
7X-20.000MBB-T
TXC 晶振
7X
XO
20MHz
±50ppm
AU-33.000MBE-T
TXC 晶振
AU
XO
33MHz
±50ppm
AU-33.000MBE-T
TXC 晶振
AU
XO
33MHz
±50ppm
AU-33.000MBE-T
TXC 晶振
AU
XO
33MHz
±50ppm
7WA2572007
TXC 晶振
7W
XO
125MHz
±50ppm
7WA2572007
TXC 晶振
7W
XO
125MHz
±50ppm
7WA2572007
TXC 晶振
7W
XO
125MHz
±50ppm
6U-32.768MBE-T
TXC 晶振
6U
VCXO
32.768MHz
±50ppm
6U-32.768MBE-T
TXC 晶振
6U
VCXO
32.768MHz
±50ppm
6U-32.768MBE-T
TXC 晶振
6U
VCXO
32.768MHz
±50ppm
BF-62.500MBE-T
TXC 晶振
BF
XO
62.5MHz
±50ppm
BF-62.500MBE-T
TXC 晶振
BF
XO
62.5MHz
±50ppm
加载
此参数适用于负载或并联谐振振荡器电路中使用的晶体。Cload是在频率校准期间使用的电容值,以pf为单位。例如18PF
BF-62.500MBE-T
TXC 晶振
BF
XO
62.5MHz
±50ppm
BB-150.000MBE-T
TXC 晶振
BB
XO
150MHz
±50ppm
BB-150.000MBE-T
TXC 晶振
BB
XO
150MHz
±50ppm
BB-150.000MBE-T
TXC 晶振
BB
XO
150MHz
±50ppm
BR-61.4400MBE-T
TXC 晶振
BR
VCXO
61.44MHz
±50ppm
BR-61.4400MBE-T
TXC 晶振
BR
VCXO
61.44MHz
±50ppm
BR-61.4400MBE-T
TXC 晶振
BR
VCXO
61.44MHz
±50ppm
7N-12.800MBP-T
TXC 晶振
7N
TCXO
12.8MHz
±280ppb
7N-12.800MBP-T
TXC 晶振
7N
TCXO
12.8MHz
±280ppb
7N-12.800MBP-T
TXC 晶振
7N
TCXO
12.8MHz
±280ppb
7N-26.000MBP-T
TXC 晶振
7N
TCXO
26MHz
±280ppb
7N-26.000MBP-T
TXC 晶振
7N
TCXO
26MHz
±280ppb
7N-26.000MBP-T
TXC 晶振
7N
TCXO
26MHz
±280ppb
TC-3.6864MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
3.6864MHz
±25ppm
TC-3.6864MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
3.6864MHz
±25ppm
TC-3.6864MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
3.6864MHz
±25ppm
TC-70.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
70MHz
±25ppm
TC-70.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
70MHz
±25ppm
TC-70.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
70MHz
±25ppm
TD-19.200MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
19.2MHz
±25ppm
TD-19.200MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
19.2MHz
±25ppm
TD-19.200MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
19.2MHz
±25ppm
TD-3.6864MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
3.6864MHz
±25ppm
TD-3.6864MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
3.6864MHz
±25ppm
TD-3.6864MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
3.6864MHz
±25ppm
ESR(等效串联电阻):
该电阻代表晶体在其谐振频率下的等效阻抗,以欧姆为单位。例如最大50欧姆
泛音:
晶体在其基频和高于基频的奇次谐波处具有尖锐的谐振峰。设计用于这些谐波之一的晶体称为泛音晶体。在更高的振荡器频率下,泛音设计通过使用更厚且更容易制造的晶体元件来降低成本。
TD-64.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
64MHz
±25ppm
TD-64.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
64MHz
±25ppm
TD-64.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
64MHz
±25ppm
TD-7.3728MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
7.3728MHz
±25ppm
TD-7.3728MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
7.3728MHz
±25ppm
TD-7.3728MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
7.3728MHz
±25ppm
7W-32.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
32MHz
±50ppm
7W-32.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
32MHz
±50ppm
7W-32.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
32MHz
±50ppm
7X-19.200MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
19.2MHz
±50ppm
7X-19.200MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
19.2MHz
±50ppm
7X-19.200MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
19.2MHz
±50ppm
8W-26.000MBE-T
TXC 晶振
8W
XO
26MHz
±50ppm
8W-26.000MBE-T
TXC 晶振
8W
XO
26MHz
±50ppm
8W-26.000MBE-T
TXC 晶振
8W
XO
26MHz
±50ppm
7X-30.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
30MHz
±50ppm
7X-30.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
30MHz
±50ppm
7X-30.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
30MHz
±50ppm
7X-25.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
25MHz
±50ppm
7X-25.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
25MHz
±50ppm
7X-25.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
25MHz
±50ppm
7X-38.400MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
38.4MHz
±50ppm
7X-38.400MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
38.4MHz
±50ppm
7X-38.400MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
38.4MHz
±50ppm
7X-48.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
48MHz
±50ppm
今天使用的大多数晶体是基本的或第三泛音。例如基金
校准公差:
这是25°C时与标称频率的最大偏差。校准容差以百万分率(ppm)为单位指定。例如±30ppm
7X-48.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
48MHz
±50ppm
7X-48.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
48MHz
±50ppm
8W-20.000MBE-T
TXC 晶振
8W
XO
20MHz
±50ppm
8W-20.000MBE-T
TXC 晶振
8W
XO
20MHz
±50ppm
8W-20.000MBE-T
TXC 晶振
8W
XO
20MHz
±50ppm
8W-13.000MBE-T
TXC 晶振
8W
XO
13MHz
±50ppm
8W-13.000MBE-T
TXC 晶振
8W
XO
13MHz
±50ppm
8W-13.000MBE-T
TXC 晶振
8W
XO
13MHz
±50ppm
7X-50.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
50MHz
±50ppm
7X-50.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
50MHz
±50ppm
7X-50.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
50MHz
±50ppm
8W-24.000MBE-T
TXC 晶振
8W
XO
24MHz
±50ppm
8W-24.000MBE-T
TXC 晶振
8W
XO
24MHz
±50ppm
8W-24.000MBE-T
TXC 晶振
8W
XO
24MHz
±50ppm
7X-26.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
26MHz
±50ppm
7X-26.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
26MHz
±50ppm
7X-26.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
26MHz
±50ppm
TD-4.096MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
4.096MHz
±25ppm
TD-4.096MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
4.096MHz
±25ppm
TD-4.096MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
4.096MHz
±25ppm
TC-33.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
33MHz
±25ppm
TC-33.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
33MHz
±25ppm
TC-33.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
33MHz
±25ppm
TD-40.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
40MHz
±25ppm
TD-40.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
40MHz
±25ppm
稳定:稳定性是在以25°C为参考的指定工作温度范围内晶体频率的最大偏差。与校准容差一样,稳定性以ppm为单位指定。校准容差和稳定性的综合影响在工作温度范围内是相加的。例如±50ppm
TD-40.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
40MHz
±25ppm
TD-49.152MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
49.152MHz
±25ppm
TD-49.152MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
49.152MHz
±25ppm
TD-49.152MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
49.152MHz
±25ppm
TC-4.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
4MHz
±25ppm
TC-4.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
4MHz
±25ppm
TC-4.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
4MHz
±25ppm
TC-16.0972MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
16.0972MHz
±25ppm
TC-16.0972MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
16.0972MHz
±25ppm
TC-16.0972MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
16.0972MHz
±25ppm
TD-24.576MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
24.576MHz
±25ppm
TD-24.576MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
24.576MHz
±25ppm
TD-24.576MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
24.576MHz
±25ppm
TC-24.576MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
24.576MHz
±25ppm
TC-24.576MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
24.576MHz
±25ppm
TC-24.576MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
24.576MHz
±25ppm
TD-12.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
12MHz
±25ppm
TD-12.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
12MHz
±25ppm
TD-12.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
12MHz
±25ppm
TC-20.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
20MHz
±25ppm
TC-20.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
20MHz
±25ppm
TC-20.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
20MHz
±25ppm
TC-12.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
12MHz
±25ppm
TC-12.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
12MHz
±25ppm
TC-12.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
12MHz
±25ppm