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Statek晶振155.52MHz皮尔斯振荡器适用于Xilinx FPGA参考时钟应用

2022-06-07 09:53:07 

Statek晶振155.52MHz皮尔斯振荡器适用于Xilinx FPGA参考时钟应用,7W-24.000MBE-T,晶体的电行为就好像它是一个电感器,振荡频率比晶体的串联谐振频率高30ppm到300ppm.与皮尔斯振荡器相比,它的启动速度更快(通常为100毫秒)并消耗更高的电流.

CoreElectronics是晶体、振荡器和谐振器的制造商,在频率控制产品方面拥有40多年的经验。

AU-27.000MBE-T TXC 晶振 AU XO 27MHz ±50ppm
AU-27.000MBE-T TXC 晶振 AU XO 27MHz ±50ppm
AU-27.000MBE-T TXC 晶振 AU XO 27MHz ±50ppm
7X-30.000MBA-T TXC 晶振 7X XO 30MHz ±25ppm
7X-30.000MBA-T TXC 晶振 7X XO 30MHz ±25ppm
7X-30.000MBA-T TXC 晶振 7X XO 30MHz ±25ppm
7X-12.000MBA-T TXC 晶振 7X XO 12MHz ±25ppm
7X-12.000MBA-T TXC 晶振 7X XO 12MHz ±25ppm
7X-12.000MBA-T TXC 晶振 7X XO 12MHz ±25ppm
7X-26.000MBA-T TXC 晶振 7X XO 26MHz ±25ppm
7X-26.000MBA-T TXC 晶振 7X XO 26MHz ±25ppm
7X-26.000MBA-T TXC 晶振 7X XO 26MHz ±25ppm
7X-25.000MBA-T TXC 晶振 7X XO 25MHz ±25ppm
7X-25.000MBA-T TXC 晶振 7X XO 25MHz ±25ppm
7X-25.000MBA-T TXC 晶振 7X XO 25MHz ±25ppm
7X-48.000MBA-T TXC 晶振 7X XO 48MHz ±25ppm
7X-48.000MBA-T TXC 晶振 7X XO 48MHz ±25ppm
7X-48.000MBA-T TXC 晶振 7X XO 48MHz ±25ppm
7L-19.200MCS-T TXC 晶振 7L VCTCXO 19.2MHz ±2ppm
7L-19.200MCS-T TXC 晶振 7L VCTCXO 19.2MHz ±2ppm
7L-19.200MCS-T TXC 晶振 7L VCTCXO 19.2MHz ±2ppm
7Q-16.368MBG-T TXC 晶振 7Q TCXO 16.368MHz ±500ppb
7Q-16.368MBG-T TXC 晶振 7Q TCXO 16.368MHz ±500ppb
7Q-16.368MBG-T TXC 晶振 7Q TCXO 16.368MHz ±500ppb
7Q-16.369MBG-T TXC 晶振 7Q TCXO 16.369MHz ±500ppb
7Q-16.369MBG-T TXC 晶振 7Q TCXO 16.369MHz ±500ppb
7Q-16.369MBG-T TXC 晶振 7Q TCXO 16.369MHz ±500ppb
7L-40.000MCS-T TXC 晶振 7L VCTCXO 40MHz ±2ppm
7L-40.000MCS-T TXC 晶振 7L VCTCXO 40MHz ±2ppm
7L-40.000MCS-T TXC 晶振 7L VCTCXO 40MHz ±2ppm

Core还扩大了我们的产品基础,因为我们现在是电子元件的特许经销商。我们专注于无源、光电、半导体和机电元件,例如:电容器、连接器、LED、电感器、铁氧体磁珠、电位器、继电器、开关等等!

7Q-16.3676MBG-T TXC 晶振 7Q TCXO 16.3676MHz ±500ppb
7Q-16.3676MBG-T TXC 晶振 7Q TCXO 16.3676MHz ±500ppb
7Q-16.3676MBG-T TXC 晶振 7Q TCXO 16.3676MHz ±500ppb
8W-12.000MBB-T TXC 晶振 8W XO 12MHz ±50ppm
8W-12.000MBB-T TXC 晶振 8W XO 12MHz ±50ppm
8W-12.000MBB-T TXC 晶振 8W XO 12MHz ±50ppm
AU-24.000MBE-T TXC 晶振 AU XO 24MHz ±50ppm
AU-24.000MBE-T TXC 晶振 AU XO 24MHz ±50ppm
AU-24.000MBE-T TXC 晶振 AU XO 24MHz ±50ppm
7Z-26.000MDS-T TXC 晶振 7Z VCTCXO 26MHz ±2ppm
7Z-26.000MDS-T TXC 晶振 7Z VCTCXO 26MHz ±2ppm
7Z-26.000MDS-T TXC 晶振 7Z VCTCXO 26MHz ±2ppm
8W-26.000MBB-T TXC 晶振 8W XO 26MHz ±50ppm
8W-26.000MBB-T TXC 晶振 8W XO 26MHz ±50ppm
8W-26.000MBB-T TXC 晶振 8W XO 26MHz ±50ppm
8W-40.000MBB-T TXC 晶振 8W XO 40MHz ±50ppm
8W-40.000MBB-T TXC 晶振 8W XO 40MHz ±50ppm
8W-40.000MBB-T TXC 晶振 8W XO 40MHz ±50ppm
7L-26.000MCG-T TXC 晶振 7L TCXO 26MHz ±500ppb
7L-26.000MCG-T TXC 晶振 7L TCXO 26MHz ±500ppb
7L-26.000MCG-T TXC 晶振 7L TCXO 26MHz ±500ppb
BB-106.250MBE-T TXC 晶振 BB XO 106.25MHz ±50ppm
BB-106.250MBE-T TXC 晶振 BB XO 106.25MHz ±50ppm
BB-106.250MBE-T TXC 晶振 BB XO 106.25MHz ±50ppm
7Z-26.000MBG-T TXC 晶振 7Z TCXO 26MHz ±500ppb
7Z-26.000MBG-T TXC 晶振 7Z TCXO 26MHz ±500ppb
7Z-26.000MBG-T TXC 晶振 7Z TCXO 26MHz ±500ppb
7Z-38.400MDG-T TXC 晶振 7Z TCXO 38.4MHz ±500ppb
7Z-38.400MDG-T TXC 晶振 7Z TCXO 38.4MHz ±500ppb
7Z-38.400MDG-T TXC 晶振 7Z TCXO 38.4MHz ±500ppb

无论是通过越来越多的分销商销售我们自己的产品,还是营销其他人的产品。以专业的关怀、知识、非凡的礼貌和对细节的无与伦比的关注来满足客户的需求将永远是COREELECTRONICS的使命。

7Z-26.000MDG-T TXC 晶振 7Z TCXO 26MHz ±500ppb
7Z-26.000MDG-T TXC 晶振 7Z TCXO 26MHz ±500ppb
7Z-26.000MDG-T TXC 晶振 7Z TCXO 26MHz ±500ppb
8W-19.200MBA-T TXC 晶振 8W XO 19.2MHz ±25ppm
8W-19.200MBA-T TXC 晶振 8W XO 19.2MHz ±25ppm
8W-19.200MBA-T TXC 晶振 8W XO 19.2MHz ±25ppm
8W-40.000MBA-T TXC 晶振 8W XO 40MHz ±25ppm
8W-40.000MBA-T TXC 晶振 8W XO 40MHz ±25ppm
8W-40.000MBA-T TXC 晶振 8W XO 40MHz ±25ppm
7W-125.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 125MHz ±50ppm
7W-125.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 125MHz ±50ppm
7W-125.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 125MHz ±50ppm
8W-24.576MBA-T TXC 晶振 8W XO 24.576MHz ±25ppm
8W-24.576MBA-T TXC 晶振 8W XO 24.576MHz ±25ppm
8W-24.576MBA-T TXC 晶振 8W XO 24.576MHz ±25ppm
7W-133.330MBB-T TXC 晶振 7W XO 133.33MHz ±50ppm
7W-133.330MBB-T TXC 晶振 7W XO 133.33MHz ±50ppm
7W-133.330MBB-T TXC 晶振 7W XO 133.33MHz ±50ppm
BT-156.250MBC-T TXC 晶振 BT SO (SAW) 156.25MHz ±100ppm
BT-156.250MBC-T TXC 晶振 BT SO (SAW) 156.25MHz ±100ppm
BT-156.250MBC-T TXC 晶振 BT SO (SAW) 156.25MHz ±100ppm
BB-100.000MBE-T TXC 晶振 BB XO 100MHz ±50ppm
BB-100.000MBE-T TXC 晶振 BB XO 100MHz ±50ppm
BB-100.000MBE-T TXC 晶振 BB XO 100MHz ±50ppm
BS-106.250MBC-T TXC 晶振 BS SO (SAW) 106.25MHz ±100ppm
BS-106.250MBC-T TXC 晶振 BS SO (SAW) 106.25MHz ±100ppm
BS-106.250MBC-T TXC 晶振 BS SO (SAW) 106.25MHz ±100ppm
BB-133.330MBE-T TXC 晶振 BB XO 133.33MHz ±50ppm
BB-133.330MBE-T TXC 晶振 BB XO 133.33MHz ±50ppm
BB-133.330MBE-T TXC 晶振 BB XO 133.33MHz ±50ppm

新的LVDSLVPECL差分输出石英晶体振荡器

StatekCorporation,设计和制造领域的领导者制造高可靠性频率控制产品,宣布发布

CB-150.000MBE-T TXC 晶振 CB XO 150MHz ±50ppm
CB-150.000MBE-T TXC 晶振 CB XO 150MHz ±50ppm
CB-150.000MBE-T TXC 晶振 CB XO 150MHz ±50ppm
BF-156.250MBE-T TXC 晶振 BF XO 156.25MHz ±50ppm
BF-156.250MBE-T TXC 晶振 BF XO 156.25MHz ±50ppm
BF-156.250MBE-T TXC 晶振 BF XO 156.25MHz ±50ppm
BB-156.250MBE-T TXC 晶振 BB XO 156.25MHz ±50ppm
BB-156.250MBE-T TXC 晶振 BB XO 156.25MHz ±50ppm
BB-156.250MBE-T TXC 晶振 BB XO 156.25MHz ±50ppm
CS-156.250MCC-T TXC 晶振 CS SO (SAW) 156.25MHz ±100ppm
CS-156.250MCC-T TXC 晶振 CS SO (SAW) 156.25MHz ±100ppm
CS-156.250MCC-T TXC 晶振 CS SO (SAW) 156.25MHz ±100ppm
BS-250.000MBC-T TXC 晶振 BS SO (SAW) 250MHz ±100ppm
BS-250.000MBC-T TXC 晶振 BS SO (SAW) 250MHz ±100ppm
BS-250.000MBC-T TXC 晶振 BS SO (SAW) 250MHz ±100ppm
CT-156.250MCC-T TXC 晶振 CT SO (SAW) 156.25MHz ±100ppm
CT-156.250MCC-T TXC 晶振 CT SO (SAW) 156.25MHz ±100ppm
CT-156.250MCC-T TXC 晶振 CT SO (SAW) 156.25MHz ±100ppm
BB-166.000MBE-T TXC 晶振 BB XO 166MHz ±50ppm
BB-166.000MBE-T TXC 晶振 BB XO 166MHz ±50ppm
BB-166.000MBE-T TXC 晶振 BB XO 166MHz ±50ppm
BS-312.500MBC-T TXC 晶振 BS SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
BS-312.500MBC-T TXC 晶振 BS SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
BS-312.500MBC-T TXC 晶振 BS SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
BT-312.500MBC-T TXC 晶振 BT SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
BT-312.500MBC-T TXC 晶振 BT SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
BT-312.500MBC-T TXC 晶振 BT SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
CS-212.500MCC-T TXC 晶振 CS SO (SAW) 212.5MHz ±100ppm
CS-212.500MCC-T TXC 晶振 CS SO (SAW) 212.5MHz ±100ppm
CS-212.500MCC-T TXC 晶振 CS SO (SAW) 212.5MHz ±100ppm

DFXO石英晶体振荡器。差分输出石英晶体振荡器可用在LVDSLVPECL输出。这个5mmx7mm高频(20MHz300MHz)振荡器具有低相位噪声和低相位抖动,采用基本晶体实现频率高达155.52MHz。适用于XilinxFPGA参考时钟应用。提供扩展工业温度范围(-40°C+105°C)。内部的去耦电容;不需要外部电容器。

BJ-61.440MBE-T TXC 晶振 BJ VCXO 61.44MHz ±50ppm
BJ-61.440MBE-T TXC 晶振 BJ VCXO 61.44MHz ±50ppm
BJ-61.440MBE-T TXC 晶振 BJ VCXO 61.44MHz ±50ppm
CS-312.500MCC-T TXC 晶振 CS SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
CS-312.500MCC-T TXC 晶振 CS SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
CS-312.500MCC-T TXC 晶振 CS SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
CT-312.500MCC-T TXC 晶振 CT SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
CT-312.500MCC-T TXC 晶振 CT SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
CT-312.500MCC-T TXC 晶振 CT SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
7P-26.000MBP-T TXC 晶振 7P TCXO 26MHz ±280ppb
7P-26.000MBP-T TXC 晶振 7P TCXO 26MHz ±280ppb
7P-26.000MBP-T TXC 晶振 7P TCXO 26MHz ±280ppb
7P-19.200MBP-T TXC 晶振 7P TCXO 19.2MHz ±280ppb
7P-19.200MBP-T TXC 晶振 7P TCXO 19.2MHz ±280ppb
7P-19.200MBP-T TXC 晶振 7P TCXO 19.2MHz ±280ppb
7P-25.000MBP-T TXC 晶振 7P TCXO 25MHz ±280ppb
7P-25.000MBP-T TXC 晶振 7P TCXO 25MHz ±280ppb
7P-25.000MBP-T TXC 晶振 7P TCXO 25MHz ±280ppb
7N-20.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 20MHz ±280ppb
7N-20.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 20MHz ±280ppb
7N-20.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 20MHz ±280ppb
7N-10.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 10MHz ±280ppb
7N-10.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 10MHz ±280ppb
7N-10.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 10MHz ±280ppb
7N-19.200MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 19.2MHz ±280ppb
7N-19.200MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 19.2MHz ±280ppb
7N-19.200MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 19.2MHz ±280ppb
7N-25.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 25MHz ±280ppb
7N-25.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 25MHz ±280ppb
7N-25.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 25MHz ±280ppb

Statek是设计、开发和制造高度可靠、超小型、用于医疗电子、航空航天的石英频率控制产品国防和工业市场。

如需更多信息并讨论您的具体操作要求,请联系0755-27876565

BR-77.760MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 77.76MHz ±50ppm
BR-77.760MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 77.76MHz ±50ppm
BR-77.760MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 77.76MHz ±50ppm
BR-122.880MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 122.88MHz ±50ppm
BR-122.880MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 122.88MHz ±50ppm
BR-122.880MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 122.88MHz ±50ppm
BJ-122.880MBE-T TXC 晶振 BJ VCXO 122.88MHz ±50ppm
BJ-122.880MBE-T TXC 晶振 BJ VCXO 122.88MHz ±50ppm
BJ-122.880MBE-T TXC 晶振 BJ VCXO 122.88MHz ±50ppm
CR-122.880MBE-T TXC 晶振 CR VCXO 122.88MHz ±50ppm
CR-122.880MBE-T TXC 晶振 CR VCXO 122.88MHz ±50ppm
CR-122.880MBE-T TXC 晶振 CR VCXO 122.88MHz ±50ppm
BR-153.600MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 153.6MHz ±50ppm
BR-153.600MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 153.6MHz ±50ppm
BR-153.600MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 153.6MHz ±50ppm
CJ-153.600MBE-T TXC 晶振 CJ VCXO 153.6MHz ±50ppm
CJ-153.600MBE-T TXC 晶振 CJ VCXO 153.6MHz ±50ppm
CJ-153.600MBE-T TXC 晶振 CJ VCXO 153.6MHz ±50ppm
BJ-156.250MBE-T TXC 晶振 BJ VCXO 156.25MHz ±50ppm
BJ-156.250MBE-T TXC 晶振 BJ VCXO 156.25MHz ±50ppm
BJ-156.250MBE-T TXC 晶振 BJ VCXO 156.25MHz ±50ppm
7W-1.8432MBE-T TXC 晶振 7W XO 1.8432MHz ±50ppm
7W-1.8432MBE-T TXC 晶振 7W XO 1.8432MHz ±50ppm
7W-1.8432MBE-T TXC 晶振 7W XO 1.8432MHz ±50ppm
7W-14.31818MBE-T TXC 晶振 7W XO 14.31818MHz ±50ppm
7W-14.31818MBE-T TXC 晶振 7W XO 14.31818MHz ±50ppm
7W-14.31818MBE-T TXC 晶振 7W XO 14.31818MHz ±50ppm
7W-12.288MBB-T TXC 晶振 7W XO 12.288MHz ±50ppm
7W-12.288MBB-T TXC 晶振 7W XO 12.288MHz ±50ppm
7W-12.288MBB-T TXC 晶振 7W XO 12.288MHz ±50ppm
7W-40.000MBE-T TXC 晶振 7W XO 40MHz ±50ppm
7W-40.000MBE-T TXC 晶振 7W XO 40MHz ±50ppm
7W-40.000MBE-T TXC 晶振 7W XO 40MHz ±50ppm
TA-20.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 20MHz ±25ppm

晶体控制振荡器可分为两个基本组:正电抗或负电抗。正电抗模式通常称为“并联谐振”或“反谐振”振荡器。皮尔斯振荡器是一种众所周知的正电抗振荡器。负电抗模式通常被称为串联振荡器。Statek晶体针对特定的操作模式进行设计和调整。

TA-20.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 20MHz ±25ppm
TA-20.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 20MHz ±25ppm
TA-22.5792MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 22.5792MHz ±25ppm
TA-22.5792MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 22.5792MHz ±25ppm
TA-22.5792MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 22.5792MHz ±25ppm
TA-50.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 50MHz ±25ppm
TA-50.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 50MHz ±25ppm
TA-50.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 50MHz ±25ppm
7W-14.7456MBB-T TXC 晶振 7W XO 14.7456MHz ±50ppm
7W-14.7456MBB-T TXC 晶振 7W XO 14.7456MHz ±50ppm
7W-14.7456MBB-T TXC 晶振 7W XO 14.7456MHz ±50ppm
7W-24.576MBB-T TXC 晶振 7W XO 24.576MHz ±50ppm
7W-24.576MBB-T TXC 晶振 7W XO 24.576MHz ±50ppm
7W-24.576MBB-T TXC 晶振 7W XO 24.576MHz ±50ppm
7W-8.192MBE-T TXC 晶振 7W XO 8.192MHz ±50ppm
7W-8.192MBE-T TXC 晶振 7W XO 8.192MHz ±50ppm
7W-8.192MBE-T TXC 晶振 7W XO 8.192MHz ±50ppm
7W-32.768MBE-T TXC 晶振 7W XO 32.768MHz ±50ppm
7W-32.768MBE-T TXC 晶振 7W XO 32.768MHz ±50ppm
7W-32.768MBE-T TXC 晶振 7W XO 32.768MHz ±50ppm
7W-36.000MBE-T TXC 晶振 7W XO 36MHz ±50ppm
7W-36.000MBE-T TXC 晶振 7W XO 36MHz ±50ppm
7W-36.000MBE-T TXC 晶振 7W XO 36MHz ±50ppm
7C-27.000MBE-T TXC 晶振 7C XO 27MHz ±50ppm
7C-27.000MBE-T TXC 晶振 7C XO 27MHz ±50ppm
7C-27.000MBE-T TXC 晶振 7C XO 27MHz ±50ppm
7C-48.000MBE-T TXC 晶振 7C XO 48MHz ±50ppm
7C-48.000MBE-T TXC 晶振 7C XO 48MHz ±50ppm
7C-48.000MBE-T TXC 晶振 7C XO 48MHz ±50ppm
7W-1.544MBE-T TXC 晶振 7W XO 1.544MHz ±50ppm
7W-1.544MBE-T TXC 晶振 7W XO 1.544MHz ±50ppm
7W-1.544MBE-T TXC 晶振 7W XO 1.544MHz ±50ppm
7W-4.096MBE-T TXC 晶振 7W XO 4.096MHz ±50ppm
7W-4.096MBE-T TXC 晶振 7W XO 4.096MHz ±50ppm
7W-4.096MBE-T TXC 晶振 7W XO 4.096MHz ±50ppm

皮尔斯振荡器采用单个反相器,带有两个相移电容器和晶体,在反馈回路中提供180ºC相移。晶体的电行为就好像它是一个电感器。振荡频率比晶体的串联谐振频率高30ppm300ppm。如果晶体从电路中移除,振荡器通常会停止振荡。与串联振荡器相比,皮尔斯振荡器通常启动较慢且消耗的电流较少。小型便携式设备(电池供电),包括手持式数据输入终端,使用了皮尔斯振荡器。

7C-40.000MBE-T TXC 晶振 7C XO 40MHz ±50ppm
7C-40.000MBE-T TXC 晶振 7C XO 40MHz ±50ppm
7C-40.000MBE-T TXC 晶振 7C XO 40MHz ±50ppm
7W-8.000MBE-T TXC 晶振 7W XO 8MHz ±50ppm
7W-8.000MBE-T TXC 晶振 7W XO 8MHz ±50ppm
7W-8.000MBE-T TXC 晶振 7W XO 8MHz ±50ppm
7C-25.000MBE-T TXC 晶振 7C XO 25MHz ±50ppm
7C-25.000MBE-T TXC 晶振 7C XO 25MHz ±50ppm
7C-25.000MBE-T TXC 晶振 7C XO 25MHz ±50ppm
7W-6.000MBE-T TXC 晶振 7W XO 6MHz ±50ppm
7W-6.000MBE-T TXC 晶振 7W XO 6MHz ±50ppm
7W-6.000MBE-T TXC 晶振 7W XO 6MHz ±50ppm
7W-10.000MBE-T TXC 晶振 7W XO 10MHz ±50ppm
7W-10.000MBE-T TXC 晶振 7W XO 10MHz ±50ppm
7W-10.000MBE-T TXC 晶振 7W XO 10MHz ±50ppm
7W-50.000MBE-T TXC 晶振 7W XO 50MHz ±50ppm
7W-50.000MBE-T TXC 晶振 7W XO 50MHz ±50ppm
7W-50.000MBE-T TXC 晶振 7W XO 50MHz ±50ppm
7W-24.000MBE-T TXC 晶振 7W XO 24MHz ±50ppm
7W-24.000MBE-T TXC 晶振 7W XO 24MHz ±50ppm
7W-24.000MBE-T TXC 晶振 7W XO 24MHz ±50ppm
7W-33.333MBE-T TXC 晶振 7W XO 33.333MHz ±50ppm
7W-33.333MBE-T TXC 晶振 7W XO 33.333MHz ±50ppm
7W-33.333MBE-T TXC 晶振 7W XO 33.333MHz ±50ppm
7W-24.576MBE-T TXC 晶振 7W XO 24.576MHz ±50ppm
7W-24.576MBE-T TXC 晶振 7W XO 24.576MHz ±50ppm
7W-24.576MBE-T TXC 晶振 7W XO 24.576MHz ±50ppm
7W-25.000MBE-T TXC 晶振 7W XO 25MHz ±50ppm
7W-25.000MBE-T TXC 晶振 7W XO 25MHz ±50ppm
7W-25.000MBE-T TXC 晶振 7W XO 25MHz ±50ppm

通常,串联振荡器由两个级联的反相器组成,晶体连接在第二个反相器输出和第一个反相器输入之间。晶体在电气上的行为就好像它是一个电容器。如果晶体被移除,振荡器通常会以更高的频率自由运行。与皮尔斯振荡器相比,它的启动速度更快(通常为100毫秒)并消耗更高的电流。

7W-10.000MAB-T TXC 晶振 7W XO 10MHz ±50ppm
7W-10.000MAB-T TXC 晶振 7W XO 10MHz ±50ppm
7W-10.000MAB-T TXC 晶振 7W XO 10MHz ±50ppm
7W-48.000MBE-T TXC 晶振 7W XO 48MHz ±50ppm
7W-48.000MBE-T TXC 晶振 7W XO 48MHz ±50ppm
7W-48.000MBE-T TXC 晶振 7W XO 48MHz ±50ppm
7W-40.000MAB-T TXC 晶振 7W XO 40MHz ±50ppm
7W-40.000MAB-T TXC 晶振 7W XO 40MHz ±50ppm
7W-40.000MAB-T TXC 晶振 7W XO 40MHz ±50ppm
7W-20.000MAB-T TXC 晶振 7W XO 20MHz ±50ppm
7W-20.000MAB-T TXC 晶振 7W XO 20MHz ±50ppm
7W-20.000MAB-T TXC 晶振 7W XO 20MHz ±50ppm
7W-14.31818MAB-T TXC 晶振 7W XO 14.31818MHz ±50ppm
7W-14.31818MAB-T TXC 晶振 7W XO 14.31818MHz ±50ppm
7W-14.31818MAB-T TXC 晶振 7W XO 14.31818MHz ±50ppm
7W-24.000MAB-T TXC 晶振 7W XO 24MHz ±50ppm
7W-24.000MAB-T TXC 晶振 7W XO 24MHz ±50ppm
7W-24.000MAB-T TXC 晶振 7W XO 24MHz ±50ppm
TB-1.8432MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 1.8432MHz ±25ppm
TB-1.8432MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 1.8432MHz ±25ppm
TB-1.8432MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 1.8432MHz ±25ppm
TB-70.000MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 70MHz ±25ppm
TB-70.000MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 70MHz ±25ppm
TB-70.000MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 70MHz ±25ppm
TB-30.000MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 30MHz ±25ppm
TB-30.000MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 30MHz ±25ppm
TB-30.000MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 30MHz ±25ppm
TA-11.0592MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 11.0592MHz ±25ppm
TA-11.0592MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 11.0592MHz ±25ppm
TA-11.0592MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 11.0592MHz ±25ppm

晶体或振荡器类型的选择主要取决于性能要求。总结了穿孔和串联振荡器的性能特点。CX-1V晶体具有比CX-1H更高的Q,因为它被密封在真空封装中。CX-1H晶体具有大约35倍的运动阻力(较低的Q),因为它在接近大气压的情况下被密封。

TC-50.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 50MHz ±25ppm
TC-50.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 50MHz ±25ppm
TC-50.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 50MHz ±25ppm
TA-13.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 13MHz ±25ppm
TA-13.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 13MHz ±25ppm
TA-13.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 13MHz ±25ppm
TA-12.288MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 12.288MHz ±25ppm
TA-12.288MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 12.288MHz ±25ppm
TA-12.288MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 12.288MHz ±25ppm
TA-33.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 33MHz ±25ppm
TA-33.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 33MHz ±25ppm
TA-33.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 33MHz ±25ppm
TC-24.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 24MHz ±25ppm
TC-24.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 24MHz ±25ppm
TC-24.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 24MHz ±25ppm
TB-22.1184MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 22.1184MHz ±25ppm
TB-22.1184MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 22.1184MHz ±25ppm
TB-22.1184MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 22.1184MHz ±25ppm
TA-6.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 6MHz ±25ppm
TA-6.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 6MHz ±25ppm
TA-6.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 6MHz ±25ppm
TD-33.33333MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 33.33333MHz ±25ppm
TD-33.33333MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 33.33333MHz ±25ppm
TD-33.33333MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 33.33333MHz ±25ppm
TD-60.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 60MHz ±25ppm
TD-60.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 60MHz ±25ppm
TD-60.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 60MHz ±25ppm
TC-100.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 100MHz ±25ppm
TC-100.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 100MHz ±25ppm
TC-100.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 100MHz ±25ppm
TB-15.8682MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 15.8682MHz ±25ppm
TB-15.8682MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 15.8682MHz ±25ppm
TB-15.8682MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 15.8682MHz ±25ppm
TC-13.513MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 13.513MHz ±25ppm
TC-13.513MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 13.513MHz ±25ppm

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