电子产品正在向小型,高精度,高度集成化方向发展,石英晶振产品作为电子产品必不可缺的元器件,它的性能也一直在跟随着市场需求而不断提高.几乎上所有的晶振厂家都在这条道路上坚定而快速的行进着.随着5G,自动驾驶,AI等高端技术的出现,许多晶振厂家纷纷推出具备低相噪性能的石英晶体振荡器,以满足5G应用设备对频率信号的需求.就在今年一月份,NEL晶振就推出了10兆赫/100兆赫精密超低相噪双通道频率OCXO参考模块(DFRM).
DFRM由2个10兆赫和100兆赫的超低相位噪声OCXO组成.该模块封装在一个非常小的密封金属罐中(“欧洲包”)36x27x25毫米.100兆赫的单元相位/频率锁定在10兆赫.(该模块还提供将100兆赫OCXO锁定到外部的能力参考文献5*).低频OCXO提供了出色的频率稳定性温度,时间(老化),供应和负载变化以及异常情况接近载波的低相位噪声和短期稳定性(艾伦方差).100MHzOCXO在噪底和高输出上提供超低相位噪声力量.
该恒温晶振的特性如下:
①两个频率输出:10.000兆赫和100.000兆赫
②超低相位噪声
③偏移1赫兹时,0-115分贝/赫兹;偏移10赫兹时,10兆赫时,0-145分贝/赫兹
④0-123分贝/赫兹(10赫兹偏移),至-178分贝/赫兹(100千赫兹,100兆赫)
⑤±2 ppb的出色温度稳定性
⑥0.25 ppb/天的低老化
⑦出色的短期稳定性1秒时ADEV < 1E-12
⑧非常小的密封包装
这款有源晶振的应用范围如下:
①使用仪器
②高性能合成器
③雷达
④电信设备
该有源晶振的部分参数如下:
|
Parameter |
Symb |
Condition |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
Note |
Electrical (6)
|
Frequency |
F10 |
|
|
10.000 |
|
MHz |
Pin4 |
|
F100 |
|
|
100.000 |
|
Pin5 |
||
|
Frequency stability |
6F/F |
vs. Temp. 4* |
|
±20 |
|
ppb |
See chart below |
|
vs. Supply |
|
0.2 |
0.3 |
ppb/10%Vcc |
|
||
|
Aging |
|
per day per year, first year second year |
|
5E-10 5E-8 2E-8 |
|
|
after 30 days 5* |
|
SSB Phase Noise |
£(Δf) |
1Hz |
|
|
-115 |
dBc/Hz |
10 MHz output 5* |
|
(achieved after 10 |
|
10 Hz |
-145 |
|
|
||
|
minutes warm-up) |
|
100 Hz |
-157 |
|
|
||
|
|
|
1 KHz |
-162 |
|
|
||
|
|
|
10 KHz |
-167 |
|
|
||
|
|
|
100 KHz |
-168 |
|
|
||
|
|
|
1Hz |
|
|
-90 |
dBc/Hz |
100 MHz output, Grade |
|
|
|
10 Hz |
-125 |
-123 |
|
“U” 5* |
|
|
|
|
100 Hz |
|
-130 |
|
|
|
|
|
|
1 KHz |
|
-160 |
|
|
|
|
|
|
10 KHz |
|
-172 |
|
|
|
|
|
|
100 KHz |
|
-178 |
|
|
|
|
|
|
1MHz |
|
-180 |
|
|
|
|
Retrace |
|
After 30 minutes |
|
|
±10 |
ppb |
24 Hours off 3* |
|
G-sensitivity |
|
worst direction |
|
|
±1.0 |
ppb/G |
|
|
Input Voltage |
Vcc |
|
4.75 |
5.0 |
5.25 |
V |
|
|
Power consumption, |
P |
steady state, 25°C |
|
2.2 |
2.5 |
W |
|
|
Spectral Purity |
|
Subharmonics |
|
-70 |
-60 |
dBc |
At 100 MHz output |
|
|
10 MHz |
-60 |
-50 |
|
At 100 MHz output |
||
|
|
Spurious |
|
-80 |
|
|
||
|
|
Harmonics |
-35 |
-30 |
|
Either output |
||
|
Load |
Internally AC-coupled 50 Ohm both outputs |
|
|
||||
|
Warm-up time |
y |
to 0.1ppm accuracy |
|
3 |
5 |
minutes |
|
|
Output Waveform |
|
Sinewave |
|
||||
|
Input impedance |
Zin |
At Vc pin |
10 |
|
|
KOhm |
|
|
Modulation bandwidth |
Fm |
|
DC |
|
1 |
KHz |
|
|
Reference Voltage |
Vref |
|
|
4.5 |
|
V |
|
|
Output Impedance |
|
At Vref pin |
|
100 |
|
Ohm |
|
这款石英晶振的相位噪声图如下:
以上是该OCXO晶振的部分参数及介绍,如您想要了解更加详细的参数的话,可以致电给我们,我们将全心全意为您服务.其实但从上述参数就能够看得出这款产品的性能优越性.如若不然,它也不能够被应用于雷达,高性能合成器,通信设备等对性能需求较高的设备上,这本身就从侧面诠释了其卓越的功能特性.
SMI晶振,86M0368 -16,86SMX进口晶振,6G相关设备晶振
日本SMI晶体,53SMX石英晶振,53M320-16,6G基站晶振